严成锋
,
施尔畏
,
陈之战
,
李祥彪
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00425
选用钒掺杂浓度为0.2at％的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×108Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, 耐偏压高, 光导电脉冲的上升时间快(6.8ns), 脉宽<20ns, 稳定性好. 负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大, 在2.5kV的偏置电压, 最大瞬时电流约为57.5A, 瞬时功率高达132kW.
关键词:
碳化硅
,
vanadium-doped
,
semiinsulating
,
photoconductive semiconductor switches
